方正微電子成功產出第一片6英寸碳化硅二極管
發布時間：2015.09.19
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作為第三代半導體材料雙雄之一的碳化硅，具有高電場強度、高熱導率、寬禁帶寬度、高飽和漂移速度優點，廣泛應用在微波及高頻和短波長器件以及功率半導體領域。
我司自2014年9月開始與華智科技（國際）有限公司合作開發碳化硅二極管，經前期技術討論、產品設計、流程測試，歷時近一年，2015年9月中旬完成產品測試，第一次流片達到1200V的設計要求，合作成果超越了華智的預期，體現了我司在特種器件上的雄厚的技術儲備和強大工藝加工能力，為后續類似的產品開發和量產打下堅實的基礎。
2015年9月15日華智科技CEO譚志明先生專程趕到深圳向開發團隊致謝，向方正微電子贈送“大中華區第一片6英寸碳化硅二極管”紀念牌，并商討進一步深入合作事宜。